Историческая справка
Завод берет свое начало с мастерской по регенерации перегоревших электрических ламп, организованной по решению ВСНХ СССР в марте 1931 г. с выпуском 1 млн. ламп в год.
В 1932 году мастерскую преобразуют в фабрику регенерации электрических ламп.
В 1939 году фабрика регенерации электроламп преобразуется в Московский электровакуумный завод "Кинолампа", который становится единственным в стране предприятием по производству кинопроекционных и фотозеркальных ламп.
В годы Великой отечественной войны завод продолжал работать в Москве, выпуская специальные автомобильные лампы, сначала в качестве филиала Московского электролампового завода, а с января 1942 г. как Государственный союзный завод " Электролампа".
С 1944 года Государственный союзный завод "Электролампа" Министерства промышленности средств связи начинает производство электровакуумных приборов для радиопромышленности, средств связи и радиолокации – тиратронов, разрядников, бареттеров, термосопротивлений и др.
В 1949 году завод "Электролампа" получает новое наименование - Государственного завода № 399 МПСС.
В 1957 году Государственный союзный завод № 399 был переориентирован на производство полупроводниковых фотоприемников, на базе завода было создано Опытно-конструкторское бюро для разработки новых приемников лучистой энергии.
В течение 1958 – 1961 г.г. заводом было освоено производство фотосопротивлений из сульфида свинца , германиевых фотодиодов для систем автоматики счетно-решающих машин и кремниевых фотодиодов для акселерометров.
В 1963 году завод передан в Министерство оборонной промышленности и ему присваивается новое наименование - Московский завод "Мосдеталь". К этому времени относится организация производства фоторезисторов; селеновых фотоэлементов для кино- и фотоаппаратуры.
В июле 1968 года Советом Министров СССР принято решение о строительстве нового заводского комплекса площадью 86 тыс. кв. метров.
В 1972 году завод переименовывается в Московский завод "Сапфир".
8 июня 1978 года за разработку и освоение производства новых изделий Указом Президиума Верховного Совета СССР Московский завод "Сапфир" был награжден орденом Трудового Красного Знамени.
В 1977 – 1984 г.г. разработаны и освоены в производстве фотодиоды из сурьмянистого индия и фотоприемные устройства на их основе. К этому же периоду относится освоение производства фотоприемного устройства из теллурида кадмия и ртути.
В 1988 году на основе Московского завода «Сапфир» и его бывших филиалов – завода «Кристалл» в г. Железногорск и Оптико-механического производства в г. Ардатов – образовано Производственное объединение «Сапфир».
В период с 1984 по 1990 годы разработаны и освоены в производстве фоторезисторы из сурьмянистого индия для ракетного комплекса «Игла» и авиационных тепловизоров; освоено производство многоэлементного фоторезистора на теллуриде кадмия и ртути для носимых тепловизоров. В эти же годы освоено производство сложнейших фотоприемных устройств на основе сурьмянистого индия и сернистого свинца для авиационных теплопеленгаторов и систем космического базирования.
Помимо приборов спецтехники в 80-х годах были проведены разработки и освоен серийный выпуск гражданской техники – иммуноферментного анализатора, медицинского тепловизора «Сапфир» и системы дистанционного управления телевизорами «Рекорд», «Рубин» и «Горизонт».
В 1994 году образовано Акционерное общество открытого типа «Сапфир», перерегистрированное в Открытое акционерное общество «Московский завод «Сапфир» в 1996г.
В 1991 – 2000 г.г. за счет собственных средств завода разработаны и серийно производятся 4 типа многоэлементных фоторезисторов из теллурида кадмия и ртути для противотанковых ракетных комплексов. Разработан и поставлен на производство ряд фотоприемных устройств на основе многоэлементных фотодиодов из сурьмянистого индия для авиационных теплопеленгаторов.
В настоящее время завод серийно выпускает фотоприемники и фотоприемные устройства.
Разработаны и выпускаются уникальные абразивные материалы для прецизионной обработки материалов электронной техники. На основе технологии лазерного термораскалывания разработаны и выпускаются установки раскроя листового стекла, разработаны технологии прецизионного разделения пластин сапфира, кварца, полупроводниковых материалов и эпитаксиальных структур .
