входит в состав АО «Швабе»

 

 

Установка
лазерной резки полупроводниковых пластин

РТ-350

 

Предназначена для бесшовного разделения пластин полупроводниковых материалов на чипы методом лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ)

 

 


 

Метод ЛУТ позволяет разделять полупроводниковые пластины на чипы с высокой производительностью при нулевой ширине реза без выброса паров и частиц материала.

 

 

Технические характеристики установки

 

Рабочий инструмент

полупроводниковый лазер

Длина волны излучения, нм

808

Мощность лазерного излучения, Вт

≥450

Рабочий ход стола:

 

по координате «X», мм

400

по координате «Y», мм

380

Точность позиционирования, мм

≤0,010

Угол поворота рабочего столика

0 ÷ 360º

Диапазон скорости  резки, мм/с

50 – 750

Точность габаритных размеров  вырезанной пластины, мм

± 0,020

Размер установки  L×W×H

1540×1040×1700 мм

Масса установки, кг

500

Энергопотребление, кВт

≤12